Быстрая зарядка. Глава Xiaomi рассказал о новом флагманском смартфоне
Следующий флагманский смартфон китайской компании Xiaomi, Mi 9, получит улучшенную скоростную зарядку.
Об этом глава Xiaomi Лэй Цзюнь рассказал в переписке в социальной сети Weibo, пишет GizChina.
15 января китайские пользователи Weibo смогли задать различные вопросы генеральному директору Xiaomi Лэй Цзюню на Weibo, и один из его ответов был однозначным. Один из поклонников бренда спросил: "Будет ли у Xiaomi Mi 9 мощность зарядки 24 Вт или выше?". Лэй Цзюнь ответил: "Xiaomi Mi 9 выйдет с лучшей зарядкой".
Ожидается, что модель Xiaomi Mi 9 выйдет в первой половине 2019 года.
Ранее на сайте GeekBench появился новый смартфон Xiaomi под названием Cepheus. Это может быть предстоящий Xiaomi Mi 9, который работает на мобильной платформе Qualcomm Snapdragon 855. В однопоточном режиме результат тестирования Xiaomi Cepheus составил 3475 баллов, а при использовании всех ядер устройство набрало 10872 балла.
Qualcomm Snapdragon 855 - это флагманская платформа, запущенная Qualcomm в декабре 2018 года. Она основана на 7-нм процессе и использует трехкластерную восьмиядерную архитектуру с графическим процессором Adreno 640. Snapdragon 855 оснащен многоядерным двигателем искусственного интеллекта четвертого поколения (AI Engine), который может в 3 раза повысить производительность искусственного интеллекта по сравнению с предыдущим поколением.
В дополнение к Snapdragon 855, Xiaomi Mi 9 может быть оснащен 48-мегапиксельной линзой (Sony IMX586) с площадью пикселя 0,8 мкм. В условиях темного освещения четыре пикселя объединяются в пиксели размером 1,6 мкм, и на выходе получаются высококачественные ночные фотографии с разрешением 12 мегапикселей.
- Так будет выглядеть Redmi K50 Pro: смартфон с чипом Snapdragon 8 Gen 1, зарядкой на 120 Вт и тройной камерой на 64 МП
- Windows 11 встановили на смартфон
- Экран на 120 Гц, чип Snapdragon 695, батарея на 5000 мАч и тройная камера на 64 МП
- OPPO Find X5 Pro показали на «живых» фото с оригинальным дизайном и камерой Hasselblad